Magnetische Tunnelübergänge
EP3455887
Art B1
30. April 2025
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3455887
- Aktenzeichen
- EP17796517
- Anmeldetag
- 3. März 2017
- Veröffentlichung
- 30. April 2025
- Erteilung
- 30. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N50/10H10N50/85G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.075 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Blake, Stephen James
Oxford, Großbritannien
259
Patente gesamt
28
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk LLP · Luxembourg