Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zur Steuerung einer Halbleiterspeichervorrichtung

EP3460799 Art B1 25. November 2020

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3460799
Aktenzeichen: EP18186371
Anmeldetag: 30. Juli 2018
Veröffentlichung: 25. November 2020
Erteilung: 25. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: G11C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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