Halbleiterbauelement
EP3460979
Art B1
4. Juni 2025
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3460979
- Aktenzeichen
- EP17820181
- Anmeldetag
- 28. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 4. Juni 2025
- Erteilung
- 4. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H02M7/48H03K17/691H01F17/00H03K17/96// H01F27/28H01F19/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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