Substrat für Integrierte Schaltungen und Verfahren zur Herstellung

EP3462483 Art B1 25. Dezember 2024

Anmelder: Intel Corporation, INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3462483
Aktenzeichen
EP18191349
Anmeldetag
28. August 2018
Veröffentlichung
25. Dezember 2024
Erteilung
25. Dezember 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/498H01L21/48
Offizieller Volltext

Abstract

According to various embodiments of the present disclosure, a substrate for an integrated circuit includes a dielectric layer. The substrate further includes a conductive layer extending in an x or y direction. The conductive layer is at least partially embedded within the dielectric layer. The conductive layer includes a via having a first end and an opposite second end. The via has a first height in a z-direction and a constant cross-sectional shape between the first end and the second end. A trace is adjacent to the via and has a second height in the z-direction that is different than the first height.

Anmelder

Firmen
Intel Corporation
INTEL Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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