Substrat für Integrierte Schaltungen und Verfahren zur Herstellung
Anmelder: Intel Corporation, INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3462483
- Aktenzeichen
- EP18191349
- Anmeldetag
- 28. August 2018
- Veröffentlichung
- 25. Dezember 2024
- Erteilung
- 25. Dezember 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/498H01L21/48
Abstract
According to various embodiments of the present disclosure, a substrate for an integrated circuit includes a dielectric layer. The substrate further includes a conductive layer extending in an x or y direction. The conductive layer is at least partially embedded within the dielectric layer. The conductive layer includes a via having a first end and an opposite second end. The via has a first height in a z-direction and a constant cross-sectional shape between the first end and the second end. A trace is adjacent to the via and has a second height in the z-direction that is different than the first height.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
INTEL Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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