Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Einkristallinem Silizium

EP3464688 Art B1 17. Juni 2020

Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3464688
Aktenzeichen
EP17724025
Anmeldetag
17. Mai 2017
Veröffentlichung
17. Juni 2020
Erteilung
17. Juni 2020
Rechtsraum
EP
IPC
C30B15/04C30B15/14C30B15/20C30B15/30C30B29/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Siltronic AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

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