Galliumnitridtransistoren mit Hoher Elektronenmobilität und Tief Implantierten P-Typ-Schichten in Siliciumcarbidsubstraten

EP3475985 Art A1 1. Mai 2019

Anmelder: Wolfspeed, Inc., Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3475985
Aktenzeichen: EP17816265
Anmeldetag: 23. Juni 2017
Veröffentlichung: 1. Mai 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/10// H01L29/167H01L29/40H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Wolfspeed, Inc.
Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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