Verfahren zur Herstellung von Source-/drain-Kontakten

EP3480842 Art A1 8. Mai 2019

Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3480842
Aktenzeichen
EP17199711
Anmeldetag
2. November 2017
Veröffentlichung
8. Mai 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
IMEC vzw
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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