Nicht-Flüchtiger Eingebauter Speicherchip aus einem Material mit Phasenänderung

EP3483889 Art B1 16. Juni 2021

Anmelder: STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS, STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3483889
Aktenzeichen: EP18202683
Anmeldetag: 25. Oktober 2018
Veröffentlichung: 16. Juni 2021
Erteilung: 16. Juni 2021
Rechtsraum: EP
IPC: G11C13/00H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

400 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von