Verfahren zur Herstellung eines Gate-All-Around Feldeffekttransistors

EP3486950 Art B1 27. Mai 2020

Anmelder: IMEC vzw, Katholieke Universiteit Leuven 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3486950
Aktenzeichen: EP17201950
Anmeldetag: 15. November 2017
Veröffentlichung: 27. Mai 2020
Erteilung: 27. Mai 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/423H01L29/786H01L29/66H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC vzw
Katholieke Universiteit Leuven
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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🇧🇪 Katholieke Universiteit Leuven

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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