Halbleitergehäuse mit Lufthohlraum
EP3495318
Art A3
21. August 2019
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3495318
- Aktenzeichen
- EP18210961
- Anmeldetag
- 7. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 21. August 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B7/00B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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