Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkristallsubstrats und Verfahren zur Herstellung eines Infrarotdetektors

EP3509087 Art B1 16. Februar 2022

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3509087
Aktenzeichen: EP16915095
Anmeldetag: 31. August 2016
Veröffentlichung: 16. Februar 2022
Erteilung: 16. Februar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20G01J1/02H01L21/203H01L21/336H01L27/144H01L27/146H01L29/205H01L29/78H01L31/10H01L33/00H01L35/26H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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