Trennen eines Werkstücks mit Drei Materialabtragungsstufen
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3509096
- Aktenzeichen
- EP19150611
- Anmeldetag
- 7. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2023
- Erteilung
- 10. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78H01L21/304B28D5/02
Abstract
A method of manufacturing electronic dies by separating a wafer into electronic dies, wherein the method comprises forming a groove in the wafer with a first material removal tool having a first thickness, enlarging the groove by a second material removal tool having a second thickness larger than the first thickness, and subsequently increasing a depth of the groove by a third material removal tool having a third thickness smaller than the second thickness until the wafer is separated.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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