Vorrichtung und Verfahren für Anwendungen im Zusammenhang mit der Züchtung von Kristallschichten

EP3512989 Art A1 24. Juli 2019

Anmelder: Leading Edge Equipment Technologies, Inc., Leading Edge Crystal Technologies, Inc., Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3512989
Aktenzeichen: EP17851298
Anmeldetag: 28. August 2017
Veröffentlichung: 24. Juli 2019
Rechtsraum: EP
IPC: C30B15/20C30B29/06C30B11/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Leading Edge Equipment Technologies, Inc.
Leading Edge Crystal Technologies, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von