Verfahren zur Herstellung eines Selbstsperrenden Hemt-Transistors mit Reduziertem Widerstand im Eingeschalteten Zustand und Hemt-Transistor

EP3514835 Art A1 24. Juli 2019

Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3514835
Aktenzeichen
EP19153397
Anmeldetag
23. Januar 2019
Veröffentlichung
24. Juli 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L21/337H01L29/10// H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
STMicroelectronics S.r.l.
Land
🇮🇹 Italien
🇮🇹 STMicroelectronics Italy

Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Kanzlei
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