Verfahren zur Herstellung einer Isolierschicht auf Siliciumcarbid und Halbleiterbauelement
EP3516682
Art A1
31. Juli 2019
Anmelder: ZF Friedrichshafen AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3516682
- Aktenzeichen
- EP17754123
- Anmeldetag
- 8. August 2017
- Veröffentlichung
- 31. Juli 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/04H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ZF Friedrichshafen AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
ZF Friedrichshafen
Deutscher Automobilzulieferer mit Sitz in Friedrichshafen. ZF entwickelt Antriebs-, Fahrwerk- und Sicherheitssysteme sowie Getriebetechnik für Fahrzeuge und Industrieanwendungen.
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