Verfahren zur Herstellung eines Photodiodendetektors

EP3518292 Art B1 20. Oktober 2021

Anmelder: Nuctech Company Limited 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3518292
Aktenzeichen
EP17878118
Anmeldetag
12. September 2017
Veröffentlichung
20. Oktober 2021
Erteilung
20. Oktober 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L31/18H01L27/146H01L31/0224H01L31/0352
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nuctech Company Limited
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Nuctech

Chinesisches Unternehmen mit Sitz in Peking, spezialisiert auf Sicherheitsscanner und Inspektionssysteme für Flughäfen, Häfen und Grenzübergänge.

814 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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