Verfahren zur Herstellung von Elektroden, Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors, Verfahren zur Herstellung eines Array-Substrats, Dünnschichttransistor, Array-Substrat und Anzeigevorrichtung

EP3535776 Art A1 11. September 2019

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3535776
Aktenzeichen: EP17828637
Anmeldetag: 30. Juni 2017
Veröffentlichung: 11. September 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L27/12H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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