Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors

EP3547371 Art B1 15. Oktober 2025

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3547371
Aktenzeichen
EP18164437
Anmeldetag
27. März 2018
Veröffentlichung
15. Oktober 2025
Erteilung
15. Oktober 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10D10/01H10D10/40H10D10/80H10D62/17H10D62/10// H10D64/27
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Schmütz, Christian Klaus Johannes NXP Semiconductors Germany GmbH · Inhouse Hamburg, Deutschland
560
Patente gesamt
15
Fachgebiete
4
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Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Elektrische Energietechnik
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