Integrierter Schaltkreis mit Bipolaren Transistoren

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3550622

Aktenzeichen

EP19165354

Anmeldetag

26. März 2019

Veröffentlichung

20. Mai 2020

Erteilung

20. Mai 2020

Rechtsraum

EP

IPC

H01L45/00H01L27/24

Abstract

L'invention concerne un circuit intégré comprenant :une ligne de transistors bipolaires avec une base commune (26), la base commune étant située entre des premières (28) et secondes régions (24) constituant des bornes de conduction ;une tranchée isolante (32), parallèle et en contact avec la ligne de transistors ; etun peigne en matériau conducteur contactant avec la base et étant situé entre les premières régions et en regard de la tranchée isolante, le peigne étant séparé des premières régions par des espaceurs (44).

Anmelder

Firmen

STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
STMicroelectronics (Rousset) SAS
STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete