Halbleiterbauelement mit Eingebetteter Poröser Region und Verfahren zur Herstellung davon
Anmelder: Murata Manufacturing Co., Ltd., Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3556910
- Aktenzeichen
- EP18305492
- Anmeldetag
- 20. April 2018
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2023
- Erteilung
- 4. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C25D11/04C25D11/26C25D11/08C25D11/12C25D11/24C25D11/02C25D11/18H01G4/33
Abstract
A semiconductor device and a method of fabrication thereof are disclosed. The semiconductor device includes a porous anodic region for embedding a structure. The porous anodic region is defined by a ductile hard mask. The ductility of the hard mask reduces the potential for the hard mask to crack during the formation by anodization of the porous anodic region. The ductile hard mask may be a metal. The metal may be selected to form a stable oxide when exposed to the anodization electrolyte thereby enabling the hard mask to self-repair if a crack occurs during the anodization process.
Anmelder
- Firmen
- Murata Manufacturing Co., Ltd.
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Kyoto. Murata entwickelt und produziert elektronische Bauelemente wie Kondensatoren, Sensoren und Kommunikationsmodule für Elektronikgeräte.
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Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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