Speicher mit Stepparchitektur mit Aktiven Grenzbereichen
EP3583600
Art B1
9. Juli 2025
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3583600
- Aktenzeichen
- EP17896968
- Anmeldetag
- 30. August 2017
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2025
- Erteilung
- 9. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C5/02G11C8/10G11C11/22G11C13/00H10B63/00H10N70/20// G11C7/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Kanzlei
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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Marks & Clerk LLP · Luxembourg