Dreidimensionale Speicherbauelemente und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP3583625
Art B1
21. Juli 2021
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3583625
- Aktenzeichen
- EP18855889
- Anmeldetag
- 2. März 2018
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2021
- Erteilung
- 21. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11573H01L27/06H01L27/11575H01L27/11582
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank