Herstellungsverfahren für ein Siliciumcarbidsubstrat und Siliciumcarbidsubstrat
EP3591101
Art A1
8. Januar 2020
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Cusic Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3591101
- Aktenzeichen
- EP18761234
- Anmeldetag
- 1. März 2018
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/36H01L21/205C30B25/18C30B33/10H01L21/02H01L29/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Cusic Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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Vertreten von
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München