T-Gate für Transistor

EP3591691 Art A1 8. Januar 2020

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3591691
Aktenzeichen: EP19175270
Anmeldetag: 17. Mai 2019
Veröffentlichung: 8. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L29/778H01L29/423// H01L29/08H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von