Herstellungsverfahren von mindestens einer Halbleiterstruktur, die eine Abscheidungsphase Gegenüber dem Wachstumssubstrat Umfasst
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3594997
- Aktenzeichen
- EP19185598
- Anmeldetag
- 10. Juli 2019
- Veröffentlichung
- 24. März 2021
- Erteilung
- 24. März 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78H01L33/00// H01L33/12
Abstract
The invention relates to a method for manufacturing at least one semiconductor structure (20) separated from a support substrate (11), comprising the following steps: - producing a two-dimensional nucleation layer (13) from the support substrate (11); - producing the semiconductor structure (20) by epitaxy from the nucleation layer; - obtaining a first electrode (30) located in a lateral zone (3) which borders the semiconductor structure; - arranging the structure thus obtained in an aqueous electrolyte bath (50); - applying a potential difference between the electrodes (30, 40), until the semiconductor structure (20) separates from the support substrate (11).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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