Halbleiterbauelement mit Aktivem Drain-Bereich
EP3599645
Art A1
29. Januar 2020
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3599645
- Aktenzeichen
- EP19182435
- Anmeldetag
- 25. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/08H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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