Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3621116
- Aktenzeichen
- EP18193028
- Anmeldetag
- 6. September 2018
- Veröffentlichung
- 2. November 2022
- Erteilung
- 2. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/40
Abstract
In an embodiment, a semiconductor device comprises a semiconductor substrate having a first major surface, a trench extending from the first major surface into the semiconductor substrate and having a base and a side wall extending form the base to the first major surface, a field plate arranged in the trench and an enclosed cavity in the trench. The enclosed cavity is defined by insulating material and is laterally positioned between a side wall of the field plate and the side wall of the trench.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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Fachgebiete
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