Speicheranordnungen mit Vertikal Alternierenden Schichten aus Isolierendem Material und Speicherzellen und Verfahren zur Herstellung einer Speicheranordnung mit Speicherzellen, die Individuell einen Transistor und einen Kondensator Umfassen

EP3646379 Art A1 6. Mai 2020

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3646379
Aktenzeichen
EP18824391
Anmeldetag
25. Juni 2018
Veröffentlichung
6. Mai 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/108H01L49/02// H01L27/11504H01L27/11507H01L27/11514
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Kanzlei
Marks & Clerk LLP

Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.

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