Gate-Netzwerke mit Positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstands (ptc) für Halbleiter-Leistungswandler

EP3649676 Art A1 13. Mai 2020

Anmelder: General Electric Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3649676
Aktenzeichen: EP18827766
Anmeldetag: 3. Juli 2018
Veröffentlichung: 13. Mai 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H10D12/01H10D12/00H10D30/66H01L21/324H10D62/10H10D64/27H10D64/66H10D62/832

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: General Electric Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 General Electric

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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