Halbleiterbauelement
EP3651207
Art B1
29. September 2021
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3651207
- Aktenzeichen
- EP19217793
- Anmeldetag
- 13. August 2013
- Veröffentlichung
- 29. September 2021
- Erteilung
- 29. September 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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