Verfahren zur Herstellung einer Kristallinen Schicht in einer Iii-N-Verbindung durch Van-Der-Waals-Epitaxie aus Graphen

EP3652365 Art A1 20. Mai 2020

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3652365
Aktenzeichen
EP18752572
Anmeldetag
9. Juli 2018
Veröffentlichung
20. Mai 2020
Rechtsraum
EP
IPC
C30B25/18C30B29/40
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Land
🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik
Vertreten von
Dupont, Jean-Baptiste Lyon, Frankreich
6
Patente gesamt
6
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Wehrtechnik & Waffen Optik & Fototechnik
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