Halbleiterbauelement mit Integrierten Mos-Gate-Dioden oder Schottky-Dioden

EP3657548 Art A1 27. Mai 2020

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3657548
Aktenzeichen: EP19210089
Anmeldetag: 19. November 2019
Veröffentlichung: 27. Mai 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/40H01L29/78H01L29/872H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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