Szynka Smorodin Patentanwälte Partnerschaft mbB

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine WC-Keramik (1) mit einem an eine Außenwandfläche (2) der WC-Keramik (1) angrenzenden Einlasskanal (4) für Spülwasser, umfassend:d) Füllen eines durch eine mehrteilige Gießform (6) gebildeten Gießraums mit einem Füllschlicker;f) Öffnen eines ersten Seitenwandformteils (6.1) nach Ablauf einer Scherbenbildungszeit;g) Entnahme eines Formkörpers (7) aus dem in Bezug auf eine Hauptentformungsrichtung des ersten Seitenwandformteils (6.1) zumindest abschnittsweise hinterschnittigen Einlasskanal (4);h) Einsetzen eines deckelartigen Garnierstücks (4.2) in eine nach Entnahme des Formkörpers (7) aus dem Einlasskanal (4) verbleibende Außenwandöffnung der WC-Keramik (1); undi) stoffschlüssiges Verbinden des deckelartigen Garnstücks mit einer Außenwandfläche (2) der WC-Keramik (1) mittels eines Garnierschlickers.

Bei der Herstellung eines WC-Sitzes wird eine Sitzheizung 2 in einer flächengewölbten Formgebung in eine Form 1, 3 eingebracht und diese dann auf einer Seite der Sitzheizung mit einem fließfähigen Material gefüllt.

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verwendung einer Leitungsdurchführung (1), welche eine Durchführungshülse (2) und eine Manschette (3) aus einem Elastomermaterial aufweist, wobei- die Leitungsdurchführung (1) solchermaßen in eine Durchlassöffnung (1001) eingesetzt wird, dass die Manschette (3) in einer Montageposition axial außerhalb der Durchlassöffnung (1001) angeordnet ist, und- die Durchführungshülse (2) in dieser Montageposition befestigt wird, indem in einen Ringraum (10) zwischen Durchführungshülse (2) und Laibung (1002) der Durchlassöffnung (1001) eine zunächst fließfähige Füllsubstanz (70) eingebracht wird, die dann expandiert und in der Durchlassöffnung (1001) härtet, und- sich die Manschette (3) nach radial innen zu einer durch die Durchführungshülse (2) gelegten Leitung (200) hin anlegt.

The invention relates to a semiconductor die (1) with a semiconductor body (10), the semiconductor die (1) comprising: a vertical transistor device (20); an additional transistor device (40) comprising a channel region (43.1) configured for a vertical current flow; an isolation trench (60) extending into the semiconductor body (10); an isolation well (70) made of a second doping type; the isolation well (70) being arranged vertically below the additional transistor device (40), the isolation trench (60) being arranged laterally between the additional transistor device (40) and the vertical transistor device (20), wherein the isolation trench (60) extends to a depth (65) which lies vertically between an upper end (70.1) of the isolation well (70) and the second side (10.2) of the semiconductor body (10).

The disclosure relates to a semiconductor die (1) with a semiconductor body (10), the semiconductor die (1) comprising: a vertical transistor device (20) with a first load region (21) and a second load region (22) at opposite sides (10.1, 10.2) of the semiconductor body (10); an additional transistor device (40) with a source region (41) at a first side (10.1) of the semiconductor body (10), a gate trench (45), a body region (47) aside the gate trench (45) and a drain region (42) below the body region (47); an electrical isolation (60) in the semiconductor body (10); a vertical contact element (80) extending from the first side (10.1) into the semiconductor body (10); wherein the electrical isolation (60) is arranged laterally between the vertical transistor device (20) and the additional transistor device (40), and wherein the vertical contact element (80) makes electrical contact to the drain region (42) of the additional transistor device (40) and connects the drain region (42) to the first side (10.1) of the semiconductor body (10).

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Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme einer LWL-Komponente, welche ein Tragelement aufweisend eine Tragelementoberfläche, welche eine orthogonal zur Tragelementoberfläche gerichtete Tragelementhochachse definiert, ein erstes Halteelement und ein zweites Halteelement aufweist. Das erste Halteelement weist einen ersten Stützabschnitt und einen ersten Klemmabschnitt auf, wobei der erste Stützabschnitt entlang der Tragelementhochachse aus der Tragelementoberfläche herausragt. Der erste Klemmabschnitt ist über ein erstes proximales Ende mit dem ersten Stützabschnitt verbunden und erstreckt sich bogenförmig von dem ersten proximalen Ende hin zu einem ersten distalen Ende. Der erste Klemmabschnitt weist eine radial nach außen gewölbte erste Klemmabschnittaußenfläche auf, welche von dem ersten proximalen Ende zu dem ersten distalen Ende hin einen mit einem Abstand von dem ersten proximalen Ende zunehmenden Krümmungsradius aufweist. Das zweite Halteelement ist auf der Tragelementoberfläche angeordnet und es ist, in einer Projektion auf eine Projektionsebene, welche parallel zu einer Hauptkrümmungsebene des ersten Klemmabschnitts definiert ist, der erste Klemmabschnitt dem zweiten Haltelement zugewandt.

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