Gruppe-Iii-Nitrid-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Ohmschen Kontakts für eine auf Gruppe-Iii-Nitrid Basierende Vorrichtung
EP3660885
Art B1
24. Mai 2023
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3660885
- Aktenzeichen
- EP18208960
- Anmeldetag
- 28. November 2018
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2023
- Erteilung
- 24. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285H01L21/335H01L29/778H01L29/417// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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JENSEN & SON wurde bereits 1867 gegründet und gehört zu den traditionsreichsten Patent- und Markenkanzleien Großbritanniens. Unter der Marke Jensens IP Law mit Büros in London, München und Dublin ist sie eine der wenigen „full service“ IP-Kanzleien im Vereinigten Königreich.
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