Auswahlbauelement und Zusammensetzung für Chalcogenid-Speichervorrichtung
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3660932
- Aktenzeichen
- EP18209507
- Anmeldetag
- 30. November 2018
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2025
- Erteilung
- 31. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N70/20H10B63/00// G11C13/00G11C11/22C01B19/00
Abstract
The disclosed composition comprising selenium, arsenic, at least one of boron, aluminum, gallium, indium, or thallium, and optionally germanium or silicon, of specific weight percentages is particularly suitable as a selector device (215) for a non-volatile cross-point memory array (200). The relative amount of the boron group element affects the selector's threshold voltage, and reduces the temporal drift thereof.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
-
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk LLP · Luxembourg