Verbesserte Maske zum Schutz eines Halbleitermaterials für Lokalisierte Ätzanwendungen

EP3662506 Art A1 10. Juni 2020

Anmelder: Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS, Université Paris-Saclay, Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3662506
Aktenzeichen: EP18743834
Anmeldetag: 31. Juli 2018
Veröffentlichung: 10. Juni 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/308H01L21/467H01L21/02H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS
Université Paris-Saclay
Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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