Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP3667736 Art B1 11. August 2021

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3667736
Aktenzeichen
EP20156339
Anmeldetag
15. September 2011
Veröffentlichung
11. August 2021
Erteilung
11. August 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/78H01L21/336H01L29/12
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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