Herstellungsverfahren eines Transistors mit Erhöhter Source und Drain
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3671857
- Aktenzeichen
- EP19218620
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 12. März 2025
- Erteilung
- 12. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Hautier IP wurde 1892 gegründet und zählt zu den traditionsreichsten französischen Kanzleien für gewerblichen Rechtsschutz, mit Büros in Grenoble, Nizza, Paris, Marseille und Monaco. Mit strategisch-wirtschaftlichem Ansatz begleitet sie Mandanten bis zum Einheitspatent und gewährt über ihr Programm „Green“ Nachlässe für umweltorientierte Unternehmen.
-
Hautier IP
Hautier IP · Nice