Verfahren zur Herstellung eines Vertikal Isolierten Gate-Feldeffekttransistors, der in einen Halbleiterchip Integriert Ist
EP3671859
Art B1
30. April 2025
Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3671859
- Aktenzeichen
- EP18214426
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 30. April 2025
- Erteilung
- 30. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/8234H01L21/768H01L29/423H01L23/48H01L29/66H01L21/74H01L21/8238H01L23/528H01L23/535H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC vzw
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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