Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium mit <100>-Orientierung, der mit Dotierstoff vom N-Typ Dotiert Ist
EP3676425
Art B1
4. Oktober 2023
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3676425
- Aktenzeichen
- EP18762067
- Anmeldetag
- 28. August 2018
- Veröffentlichung
- 4. Oktober 2023
- Erteilung
- 4. Oktober 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B15/20C30B29/06C30B15/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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