Verfahren zur Herstellung einer Nitrid-Halbleiterschicht, Nitrid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon

EP3680929 Art A1 15. Juli 2020

Anmelder: Seoul Viosys Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3680929
Aktenzeichen: EP20153397
Anmeldetag: 28. November 2013
Veröffentlichung: 15. Juli 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20C30B25/20C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul Viosys Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul Viosys Co., Ltd.

Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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