Für Grösse und Genauigkeit Optimierte Bandlückenstromarchitektur
EP3683649
Art A1
22. Juli 2020
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3683649
- Aktenzeichen
- EP19305073
- Anmeldetag
- 21. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 22. Juli 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G05F3/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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