Graben-Gate-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
EP3690952
Art A1
5. August 2020
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3690952
- Aktenzeichen
- EP19154245
- Anmeldetag
- 29. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 5. August 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L29/78H01L29/08H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
Nexperia
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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