Verfahren zur Herstellung von MOS2 mit 1T-Kristallstruktur
Anmelder: Seoul National University R & DB Foundation 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3708535
- Aktenzeichen
- EP19215770
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 10. November 2021
- Erteilung
- 10. November 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01G39/06D01D5/00D01F1/10D01F9/22// D01D10/02
Abstract
Provided is a method of manufacturing MoS<sub>2</sub>having a 1T crystal structure. The method includes performing phase transition from a 2H crystal structure of MoS<sub>2</sub>to the 1T crystal structure by reacting MoS<sub>2</sub>having the 2H crystal structure with CO gas. The phase transition includes annealing the MoS<sub>2</sub>having the 2H crystal structure in an atmosphere including CO gas.
Anmelder
- Firma
- Seoul National University R & DB Foundation
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.
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Fachgebiete
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