Hochschnelle Eingangsstruktur mit Hohem Dynamikbereich
EP3715611
Art B1
27. November 2024
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3715611
- Aktenzeichen
- EP20156684
- Anmeldetag
- 11. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 27. November 2024
- Erteilung
- 27. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- F02D41/20H03F1/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Weitere Vertreter
-
Bradler, Carola Romana
NXP Semiconductors Germany GmbH · Hamburg