Gruppe Iii-Nitrid-Basiertes Transistorbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur für ein Gruppe Iii-Nitrid-Basiertes Transistorbauelement
EP3719850
Art A1
7. Oktober 2020
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3719850
- Aktenzeichen
- EP19167106
- Anmeldetag
- 3. April 2019
- Veröffentlichung
- 7. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/337H01L29/10// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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JENSEN & SON
JENSEN & SON wurde bereits 1867 gegründet und gehört zu den traditionsreichsten Patent- und Markenkanzleien Großbritanniens. Unter der Marke Jensens IP Law mit Büros in London, München und Dublin ist sie eine der wenigen „full service“ IP-Kanzleien im Vereinigten Königreich.
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