Halbleitertransistorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
EP3726587
Art A1
21. Oktober 2020
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3726587
- Aktenzeichen
- EP19169613
- Anmeldetag
- 16. April 2019
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/40H01L21/336H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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