Laterales Halbleiterbauelement mit Erhöhtem Source und Drain und Verfahren zur Herstellung davon
EP3731281
Art B1
19. Februar 2025
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3731281
- Aktenzeichen
- EP19170824
- Anmeldetag
- 24. April 2019
- Veröffentlichung
- 19. Februar 2025
- Erteilung
- 19. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/40H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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