Integrierte Schaltungen mit Gestapelten Transistoren und Verfahren zu deren Herstellung unter Verwendung von Verfahren, die nach Fertigstellung von Abschnitten eines Oberen Transistors Untere Gate-Strukturen Herstellen

EP3732721 Art A1 4. November 2020

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3732721
Aktenzeichen: EP17935901
Anmeldetag: 27. Dezember 2017
Veröffentlichung: 4. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L27/088H01L29/78H01L29/66H01L21/8234H01L21/84// H01L29/417H01L21/822H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von