Verfahren zur Implantation von Spezies in ein Substrat in Verschiedene Tiefen

EP3742476 Art B1 6. November 2024

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3742476
Aktenzeichen
EP19175280
Anmeldetag
20. Mai 2019
Veröffentlichung
6. November 2024
Erteilung
6. November 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/265
Offizieller Volltext

Abstract

A method of implanting an implant species into a substrate at different depths is described. The method includes forming an implant mask over the substrate. The implant mask includes a first implant zone designed as an opening and a second implant zone designed as a block array. The implant species is implanted through the implant mask under an implant angle tilted against a block plane. Thereby, a first implant area is formed by the implant species at a first depth in the substrate beneath the first implant zone, and a second implant area is formed by the implant species at a second depth in the substrate beneath the second implant zone. The first depth is greater than the second depth.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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